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Samsung annuncia lo sviluppo di moduli di memoria DDR5 da 512GB

Samsung Electronics ha annunciato di aver ampliato il proprio catalogo relativamente alle memorie DRAM DDR5 con l'introduzione di moduli da 512GB fabbricati con la tecnologia High-K Metal Gate (HKMG). In accordo al produttore, questo modulo può contare sulla dotazione di chip di memoria DRAM DDR5 in cui 8 layer, ciascuno dei quali implementa...

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Samsung sviluppa RAM DDR3 a 30nm con la tecnologia 3D TSV

Samsung Electronics ha annunciato il completamento della fase di sviluppo, con la conseguente disponibilità dei primi sample engineering, di nuovi moduli di RAM DDR3 di tipo Registered Dual Inline Memory Modules (RDIMMs) caratterizzati da una capacità di 32GB e finalizzati all'impiego nei sistemi di tipo server ad elevate prestazioni. I nuovi...

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