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Lexar lancia i drive SSD NVMe M.2 PCIe 3.0 x4 NM620 per gamer e creator |
Lexar ha annunciato gli SSD NVMe 1.4 consumer-oriented della linea NM620 che include al momento tr emodelli che si differenziano in base alla capacità di memorizzazione, pari rispettivamente a 256GB, 512GB e 1TB. Gli SSD NM620 sono realizzati in accordo al form factor M.2 2280 e sono caratteruzzati da una interfaccia verso l'host di tipo... |
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I drive M.2 SSD 980 di Samsung disponibili on line: i prezzi dei pre-order |
Sono già disponibili per il pre-order i drive a stato solido della linea SSD 980 in arrivo ufficialmente da Samsung nel corso del mese corrente (marzo 2021). Questi drive implementano il form factor M.2-2280 e sono dotati di una interfaccia NVMe verso l'host di tipo PCI-Express 3.0 x4. Dal punto di vista della implementazione, i drive SSD... |
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Crucial lancia la linea di drive SSD portatili X6 compatibili con USB-C e USB-A |
Attraverso il comunicato stampa che vi presentiamo di seguito, Crucial ha annunciato la linea di drive SSD esterni denominata X6. In accordo al produttore, i nuovi drive, poichè presentano una interfaccia verso il mondo di tipo USB-C, sono utilizzabili in maniera nativa con un ampio range di sistemi (PC, Mac, iPad Pro e Android). Inoltre,... |
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Samsung avvia la produzione in volumi dei chip di V-NAND a 96 layer da 256Gb |
Samsung ha comunicato di aver avviato la produzione in volume dei suoi chip di memoria V-NAND di tipo TLC di quinta generazione e caratterizzati da una capacità pari a 256Gb. I nuovi chip di Samsung sono caratterizzati da una architettura che prevede l'utilizzo di 96 layer, ed è questa una specifica nettamente superiore a quella dei chip... |
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E' in forte crescita l'adozione dei drive di tipo SSD per i notebook high-end |
E' in crescita l'adozione dei drive di tipo SSD per l'assemblaggio dei notebook di nuova generazione di fascia alta. E' questo il punto saliente di un report pubblicato on line di recente dal sito DigiTimes. Più in dettaglio, in accordo alla fonte, i principali vendor di notebook, tra cui HP e Dell, stanno notevolmente aumentando l'utilizzo... |
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Samsung avvia la produzione in volumi dei drive SSD SAS PM1643 da 30.72TB |
Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi del drive SSD con interfaccia SAS (Serial Attached SCSI) siglato PM1643. Questo dispositivo è caratterizzato da una capacità di memorizzazione notevolmente elevata (30.72TB) ed è destinato all'impiego nei sistemi di storage di nuova generazione nel mercato enterprise. Il... |
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Il prezzo delle memorie NAND flash è destinato a calare nel primo trimestre 2018 |
In accordo a un report proveniente dal sito DigiTimes, i prezzi dei chip di memoria NAND flash dovrebbero calare in maniera significativa nel corso del primo trimestre del 2018 a causa del fatto che i principali produttori di memorie flash hanno migliorato i ritmi di produzione. In questo scenario, infatti, la disponibilità sul mercato dei chip di... |
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Svelata la data di lancio degli SSD Intel Optane 900P con memoria 3D XPoint |
La possibile data in corrispondenza della quale Intel ha deciso di lanciare i drive SSD di nuova generazione denominati Optane 900P è stata diffusa di recente on line mediante una slide, evidentemente leaked, che lo stesso chip maker statunitense dovrebbe presentare in occasione dell'evento CitizenCon dedicato al game Star Citizen. Più... |
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Samsung supporta Apple nella produzione della memoria 3D NAND per iPhone |
I maker SK Hynix e Toshiba, che hanno ricevuto ordini da parte di Apple per quanto concerne i chip di memoria 3D NAND destinati all'equipaggiamento dei nuovi iPhone, hanno evidenziato una capacità produttiva inferiore alle attese dal momento che non hanno soddisfatto completamente la domanda proveniente da Apple. Più in dettaglio, il gigante di Cupertino... |
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Samsung avvia la produzione in volumi dei chip di V-NAND a 64 layer da 256Gb |
Samsung ha annunciato che di aver dato il via alla produzione in volumi dei chip di memoria V-NAND a 64 layer con capacità pari a 256Gb (32GB), una tecnologia che può essere definita come la V-NAND di quarta generazione. Rispetto ai chip di V-NAND a 48 layer con capacità di 256Gb, realizzati dalla stessa Samsung, i nuovi IC a 64 layer... |
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