Mediante il comunicato stampa di seguito allegato, il fornitore di memoria di tipo Dynamic Random Access Memory (DRAM) Elpida Memory ha annunciato di aver avviato le spedizioni dei primi sample di moduli di memoria DDR3 DDR3 SO-DIMM, prodotti con l'ausilio di un processo in tecnologia a 30nm e caratterizzati da una densità pari a 4GB (4 gigabyte), ottenuti mediante l'adozione di 16 chip di DDR3 SDRAM aventi ciascuno una densità pari a 2Gb (2 gigabit).

In accordo a Elpida, i nuovi moduli da 4GB @ 30nm, assicurano, rispetto alle attuali soluzioni a 40nm, una riduzione della corrente di polarizzazione pari al 20% in condizioni operative standard e al 30% circa in standby. Ne consegue un rilevante contenimento del consumo di potenza, il che garantisce naturalmente una maggiore durata delle batterie dei notebook, dei netbook, dei tablet PC e, più in generale, di tutti i sistemi mobile che li utilizzeranno.

Il passaggio in produzione dei nuovi moduli, che promettono anche una diminuzione dei costi per il passaggio dalla tecnologia di fabbricazione a 40nm a quella a 30nm, avverrà nel corso del primo trimestre del 2011.

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