In occasione dell'evento Technology and Manufacturing Day, che si è svolto a Beijin, in Cina, Intel ha mostrato per la prima volta al grande pubblico un wafer realizzato con la tecnologia a 10nm che il maker statunitense ha pianificato di utilizzare per la produzione dei processori di nuova generazione Cannon Lake.

In accordo a Intel, il suo nodo a 10nm è una generazione più avanti rispetto alle soluzioni concorrenti legate alla medesima geometria sia in termini di densità dei transistor che di prestazione degli stessi.

E a tal proposito Intel ha fatto ricorso alla terminologia "hyper scaling" volendo sottolineare che il suo processo tecnologico a 10nm assicura un livello di integrazione e, quindi, una densità dei dispositivi pari a 2.7 volte quella ottenibile con il nodo proprietario a 14nm, ovvero rispetto ai processori di punta attuali.

Nell'ambito del medesimo evento Intel ha fatto anche riferimento alla tecnologia di produzione 22FFL, la cui denominazione completa è 22nm FinFET Low Power, annunciata per la prima volta nel corso del mese di marzo dell'anno corrente.

Il nodo 22FFL è dedicato alle applicazioni mobile di classe mainstream in virtù di un consumo di potenza particolarmente ridotto a fronte di prestazioni molto elevate, come si intuisce considerando le frequenze di clock ottenibili, che risultano essere anche superiori alla soglia dei 2GHz.

Intel ha annunciato, inoltre, che sono già in corso le prime consegne di drive a stato solido (SSD) di nuova generazione realizzati con l'ausilio di memoria 3D NAND di tipo triple level cell (TLC) a 64-layer: questi prodotti sono progettati per le applicazioni dei data center, come testimonia la tipologia di utenti a cui sono indirizzati, rappresentata dai provider di primo livello di servizi cloud.

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