Samsung Electronics e SK Hynix stanno pianificando, per conto di NVIDIA, la produzione dei chip di memoria HBM (High Bandwidth Memory) di seconda generazione, tipicamente indicata anche con la denominazione più compatta di HBM2, secondo una tempistica coincidente con il primo trimestre del 2016.

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I chip di memoria HBM2, a proposito dei quali sia Samsung che SK Hynix contano di terminare la fase di produzione pilot e i test di affidabilità entro la fine dell'anno corrente, sono destinati all'equipaggiamento delle GPU next generation Pascal.

La memoria HBM può elaborare i dati con velocità superiori da quattro a otto volte rispetto a quelle della memoria DDR e, nello stesso tempo, ridurre fino al 40% il consumo di potenza.

Essa viene realizzata interconnettendo moduli di memoria DRAM su quattro layer: il collegamento tra i sottilissimi chip di DRAM presenti su layer differenti viene realizzato con l'ausilio della tecnologia TSV (Through Silicon Via).

Questa prevede, per ogni chip di RAM, la realizzazione di migliaia di fori e l'impiego di elettrodi per la connessione di ogni foro con il corrispondente presente su un chip collocato su un layer differente.

La memoria HBM di seconda generazione promette non soltanto la duplicazione del data rate rispetto a quella di prima generazione ma anche l'incremento della capacità di mremorizzazione, che dovrebbe passare da 8Gb a 32Gb.

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