Crucial, una divisione di Micron, ha mostrato al CES 2013 dei prototipi di moduli di RAM di tipo DRAM DDR4, sottolineando che i sample sono stati realizzati con un processo di fabbricazione dei chip di RAM a 30nm. In effetti i moduli esibiti implementano un design a 8 chip, ciascuno dei quali ha una capacità pari a 4Gb (gigabit), per cui la capacità complessiva è pari a 4GB (gigabyte).

Crucial ha anche specificato che le sue prossime memorie DDR4 saranno disponibili nei formati RDIMM, LRDIMM, SODIMM e UDIMM, sia in versione standard che con ECC; inoltre, i nuovi moduli di DDR4 possono vantare un punto di polarizzazione più basso del 20% rispetto a quello dei prodotti della generazione precedente.

Mentre le nuove DDR4 sono polarizzate a 1.2V, infatti, per le DDR3 è necessario fornire una tensione compresa nel range che va da 1.3V a 1.35V. Ne consegue un minor consumo di potenza e, quindi, una maggiore durata della carica della batteria per i sistemi che utilizzano le nuove DDR4. La necessità, inoltre, di smaltire meno energia termica favorisce anche le installazioni in spazi più ristretti e quindi la realizzazione di apparati più compatti.

Crucial darà il via alle spedizioni dei primi moduli di DDR4 nella parte finale del 2013.

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